场效应管IC

场效应管IC

场效应管IC

ME8411-N

5V12.4A同步整流内置17mQ的NMOS

ME8412-N

5V/5A外推NMOS (选择QR控制芯片、不进入CCM模式)

ME8413

5V/2.4A内置17mQ的NMOS,兼容DCMIQR等工作模式

ME8414

5V/2.4/3.4A内置17mQ/9mQ的NMOS,三个管脚同步整流

同步整流

ME8415

20V1外推NMOS兼容CCM. DCM、QR工作模式

ME8416

20V/3A内置NMOS,兼容CCM/DCMQR工作模式

ME8417

Up to 100V外推MOS,兼容CCM、DCM，QR工作模式

2020Q1

ME8418

集成自供电，兼容CCM/DCM/QR工作模式，外围精简

2020Q1

ME431AB/C

36V高精度集成稳压基准，参考电压2.5V+0.4%/+1 %140.2%

ME431L

36V低功耗集成稳压基准。参考电压2.5V+0.4%/+1 %

新品

AC基准源

ME432AJB

18V高精度集成稳压基准，参考电压1.25V+0.4%/41%

ME4312

36V恒压恒流带转灯芯片，转灯电流可谓

ME4313B/C

18V集成双基准源，Vsense: 200mV70mV

ME4315

36V高精度、集成观基准源Vsense; 70mV

ADC

ME9601

准确测量的低功耗Sigma-Delta24位微据转换器ADC

ME9001

高性价比的内置高、低频振荡器的8位MCU

2020Q1-P49

ME9101

8051兼客的高性能、高效率混合信号MCU

MCU

ME9104

6位高性能、高效率的混合信号微控制罱MCU

可单节电池供电，带低压锁定保护，包含BOOST电路的8位高性能、

ME9401

高效率微控制器MCU

ME9803

USB Type-C DFP模式CC控制

TYPE-C Controlor

ME9804

集成3A限流开关、USB Type-C DFP模式CC控制

MEM中压系列中 压20V-100V PMOS和NMOS系列

MOS器件

MEM高压系列高压>500V NMOS和BJT系列

 

ME6206A

6.5V/300mA三端低功耗LDO

ME6206B

6.5V/250mA三端低功耗LDO

新品

ME6213

6.5V/300mA带使能LDO

ME6216

6.5V/300mA高精度、低功耗LDO

ME6219

6.5V/300mA带使能、高速LDO

ME6230

6.5V1400mA带使能、低功耗、高速LDO

新品- P19

ME6212

6.5V/350mA高速、高精度LDO

ME6211

6.5V1500mA高速、高精度LDO

ME6251

6.5V/500mA防倒灌、高精度LDO

推荐品-P20

ME6218

6.5V/250 mA低输出LDO

推轉品-P21

ME6207

6.5V/800mA高速、高精度LDO

ME6217

6.5V1800mA高速、高精度LDO

ME6401

6.5V/300mA双路输出LDO

 

场效应管IC

 

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