类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ II
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
28 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
32 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
920 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
STF40

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）TPS79501QDRBRQ1
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVTPS79501QDRBRQ1
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）TPS79501QDRBRQ1
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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