制造商:  ROHM Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  - 20 V   
 
Id-连续漏极电流:  200 mA   
 
Rds On-漏源导通电阻:  1.2 Ohms   
 
配置:  Single   
 
Vgs th-栅源极阈值电压:  - 1 V   
 
Qg-栅极电荷:  1.4 nC   
 
Pd-功率耗散:  150 mW   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  EMT-3   
 
封装:  Reel   
 
商标:  ROHM Semiconductor  
 
下降时间:  17 ns  
 
上升时间:  4 ns  
 
工厂包装数量:  3000  
 
典型关闭延迟时间:  17 ns

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类型：经销商

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