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制造商: Broadcom Limited

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: pHEMT

技术: GaAs

增益: 17.5 dB

Vds-漏源极击穿电压: 5.5 V

Id-连续漏极电流: 54 mA

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 550 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSLP-8

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

工作频率: 400 MHz to 1.5 GHz  

产品: RF JFET  

类型: GaAs pHEMT  

商标: Broadcom / Avago  

NF—噪声系数: 0.53 dB  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors
MGA-631P8-TR1G MGA-631P8-TR1G MGA-631P8-TR1G

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