特色汇总 
密度 
- 的4Gbit：4096blocks 
NAND闪存接口 
- NAND接口 
- 地址/数据复 
电源电压 
- VCC =3.0/1.8V伏核心电源电压程序， 
擦除和读取操作。 
记忆电池阵列 
- X8：（2K+64）字节×64页×4096块 
- X16：（1K+32）字×64页×2048块 
PAGE SIZE 
- X8：（2048+64备用）字节 
- X16：（1024+32spare）字 
块大小 
- X8：（128K+4K备用）字节 
- X16：（64K+2 K备用）词 
页读/编程 
- 随机存取：25us的（） 
- Sequentiall接入：为25ns/为45ns（3.0V/1.8V，分钟）。 
- 节目时间（3.0V/1.8V）：200US/250US（典型值） 
- 多页编程时间（2页）： 
 200US/250US（3.0V/1.8V，典型值）。 
块擦除/多块擦除 
- 块擦除时间：3.5毫秒（典型值） 
- 多块擦除时间（2块）： 
 3.5ms/3.5ms（3.0V/1.8V，典型值）。 
SEQURITY 
- OTP区域 
- Sreial号（的ID） 
- 对于OTP和的Block0（选配）非易失性保护选项 
- 在禁用硬件编程/擦除 
 权力转移 
ADDTIONAL特点 
- 多平面架构 
 ：阵列被分成两个独立的平面。 
 上两个平面平行作业情况下，有 
 编程和擦除时间。 
- 单路和多平面复制回程序自动 
 EDC（错误检测代码） 
- 单路和多平面页面重新编程 
- 单路和多平面缓存程序 
- 缓存读取 
- 多平面块擦除 
可靠性 
- 100,000编程/擦除周期（与1位/528Byte的ECC） 
- 10年的数据保存 
ONFI1.0标准命令集 
ELECTRONICAL签名 
- Munufacture编号：ADH 
- 设备ID 
包装 
- 铅/无卤 
- TSOP4812×

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