讲比“额定值”，即可能造成thedevice性的损害。这是一个额定值只和器件在这些或任何其他条件abovethose在本规范的业务部门表示，是不是暗示。暴露在鼠ing条件下长时间可能会影响reliability.2。储存温度是在DRAM的中心/顶部外壳表面的温度。为measurementconditions请参阅JESD51-2 standard.3.VDD和VDDQ必须在彼此的300mV的时刻;和VREF必须不大于than0.6XVDDQ，当VDD和VDDQ小于500mV的; VREF可以等于或小于300mV

注：1。工作温度TOPER是对DRAM的中心/顶侧的情况下的表面温度。对于测量条件，请参阅JEDEC的文件JESD51-2.2。正常温度范围指定，所有的DRAM规格将支持的温度。运行过程中，必须保持0之间的DRAM的情况下温度 - 85℃下的所有操作conditions.3。某些应用程序需要在DRAM的操作在85℃和95oCcase温度之间的扩展级温度范围。规格齐全，保证在这个范围内，但以下附加条件：a。刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到3.9微秒。它isalso可以指定与1X的组成部分刷新（tREFI到7.8μs）在扩展温度Range.Please参阅DIMM SPD为选项availabilityParameterNormal工作温度RangeExtended温度范围（可选）评分0到8585至95UnitsoCoCNotes1，21,3 b。如果是需要在扩展级温度范围自刷新操作，那么它是强制性的，要么usethe手动自刷新模式，扩展温度范围的能力（MR2 A6=0B和MR2 A7 =1b）或启用可选的自动自刷新模式（ MR2 A6=1b和MR2 A7 =0B）。

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