东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
1吉比特（128M×8位）的CMOS NANDËPROMD
ESCRIPTIONThe TC58NVG0S3E是3.3V单1千兆（1107296256位）NAND电可擦除和ProgrammableRead，只读存储器组织为（2048+64）（NAND E2PROM）字节×64×页设备1024blocks.The有两个2112字节的静态寄存器，这让程序和读取数据到theregister和所述存储单元阵列之间传送在2112字节的增量。擦除操作是在单个blockunit实现（128千字节+4字节：2112字节×64页）。

该TC58NVG0S3E是，它利用了I / O管脚为地址和的DataInput /输出以及用于命令输入的串行型存储设备。在擦除和编程操作可自动执行makingthe设备的应用，如固态文件存储，语音记录，图像文件存储用于要求高密度非易失性存储器的数据存储stillcameras和其他系统合适的。

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