概述
该W25Q16DV（16M位）串行闪存提供了有限的系统存储解决方案
空间，销和力量。该25Q系列提供灵活性和性能远远超出普通的串行闪存
设备。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双执行代码/四SPI（XIP）
和存储的语音，文本和数据。该器件工作在2.7V至3.6V单电源，具有电流
消费低至4毫安积极1μA掉电。
该W25Q16DV阵列是由每256字节的可编程8,192页。多达256字节
可以在一个时间被编程。页面可以在16组（4KB扇区擦除）被删除，128组
（32KB块擦除），256（64KB块擦除）组或整个芯片（芯片擦除）。该W25Q16DV
分别有512可擦除扇区和32擦除块。小4KB扇区允许更大
灵活性在需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2）
该W25Q16DV支持标准串行外围接口（SPI），和一个高性能
双核/四输出以及双/四通道I / O SPI：串行时钟，片选，串行数据I / O0（DI），I / O1
（DO），I / O2（/ WP）和I / O3（/ HOLD）。可达104MHz的SPI时钟频率支持允许
208MHZ的等效时钟频率（104MHz的×2）为双I / O和416MHz的（104MHz的×4）的四通道I / O时，
使用快速读双/四通道I / O指令。这些传输率可以超越标准
异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许高效
在只有8个时钟指令开销内存访问读取的24位地址，允许真正的XIP
操作（执行到位）。
一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，
提供进一步的控制灵活性。此外，该器件支持JEDEC标准的制造商和
设备标识与64位序列号。
2.特性
•家庭回忆SpiFlash的中
- W25Q16DV：16M比特/ 2M字节（2,097,152）
- 每可编程页256字节
- 标准SPI：CLK，/ CS，DI，DO，/ WP，/保持
- 双SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，/ WP，/保持
- 四路SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，IO2，IO3
•性能的串行闪存
- 104MHz的双通道SPI /四SPI时钟
- 208 / 416MHz的等效双/四SPI
- 52MB / S的连续数据传输率
- 截至普通串行闪存的8倍
  - 超过100,000擦除/编程周期
- 超过20年的数据保存
•高效“的连续读取模式”
- 低教学开销
- 连续读取与8位/ 16/32/64字节包裹
- 仅仅在8个时钟周期来处理内存
- 允许真正的XIP（执行到位）操作
- 性能优于X16并行闪存
•低功耗，温度范围宽
- 单2.7至3.6V电源
- 4毫安有功电流<1μA掉电（典型值）。
- -40°C至+ 85°C的工作范围
•灵活的架构与4KB扇区
- 统一扇区/块擦除（4/32 / 64K字节）
- 计划一个256字节
- 擦除/编程挂起和恢复
•安全与识别特征
- 软件和硬件写保护
- 顶部/底部，4KB补阵列保护
- 电源向下锁定和保护OTP
- 64位的ID为每个设备
- 可发现参数（小农发展方案）注册
- 3X256字节安全与寄存器锁OTP
- 易失性和非易失性状态寄存器位
•空间高效的包装（1）
- 8引脚SOIC / VSOP二百〇八分之一百五十○密尔
- 8垫WSON引脚6x5毫米
- 8引脚PDIP 300万
- 16引脚SOIC 300万
- 24球TFBGA 8×6毫米（6X4 / 5x5的阵列球）
- 联系华邦KGD和其他选项

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