零件编号 FDR838P-ND
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
制造商零件编号
FDR838P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 过期
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 17 毫欧 @ 8A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT™-8
封装/外壳 8-SMD，鸥翼型




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