零件编号 SSM3J15FVL3FTR-ND

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号 SSM3J15FV,L3F

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

数据列表 SSM3J15FV;

标准包装   8,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 π-MOSVI

其它名称 SSM3J15FV,L3F(B

SSM3J15FV,L3F(T

SSM3J15FVL3FTR

 

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.7V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 9.1pF @ 3V

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 150mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 12 欧姆 @ 10mA，4V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 VESM

封装/外壳 SOT-723

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