CSD16340Q3介绍；

描述 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 25 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Texas Instruments

系列 NexFET™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta），60A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 9.2nC @ 4.5V

Vgs（值） +10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1350pF @ 12.5V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4.5 毫欧 @ 20A，8V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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