产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.31 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 值: 27 S

下降时间: 48 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 60 ns

工厂包装数量: 400

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 55 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

零件号别名: SP001552016

单位重量: 38 g

企业名：深圳市祥润达电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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