制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 150 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 370 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon / IR

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

零件号别名: SP001570598

单位重量: 6 g

产品属性类别Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®包装Tube零件状态ActiveFET 类型N-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A (Tc)驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）210nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）9620pF @ 50VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）370W (Tc)不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）4.5 mOhm @ 75A, 10V工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)安装类型Through Hole供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

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