产品性能特性：
肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*管（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。肖特基二*管是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。
肖特基产品价格：
产品参数（属性/性能）：
产品型号 封装 *大逆向峰值电压(Vpk) *大平均顺向电流（A*/℃）  *大顺向脉冲电流（Apk） *大逆向漏电流（uAdc） *大顺向压降（Apk/Vpk） 
1045* TO-220AB 45 10 95 125 1 5 0.6
1045T TO-220AC 45 10 95 200 1 10 0.6
2045 TO-220 45 20 95 250 1 10 0.6
3045 TO-220 45 30 100 300 1.3 15 0.58
4045 TO-220 45 40 100 300 1.3 15 0.58
1645 TO-220 45 16 95 150 1 8 0.6
10100* TO-220 100 10 95 125 1 5 0.85
10100T TO-220 100 10 95 200 1 10 0.85
20100 TO-220 100 20 95 250 1 10 0.85
20200 TO-220 200 20 95