该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作

电压范围覆盖2V到9.6V。27℃，VDD=6.5V，两个通道同时工作的条件下，2通道持续输出电流达到0.8A，峰值输出电流达到1.5A；1通道持续输出电流达到1.2A，峰值输出电流达到2A。该电路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才

允许重新对功率管进行控制。

特性

低待机电流(小于0.1uA)

低导通内阻MOSFET功率开关管

—采用MOS工艺设计功率管

— 1通道1200毫安功率管内阻0.46欧姆

— 2通道800毫安功率管内阻0.5欧姆

内部集成续流二极管

—无需外接续流二极管

较小的输入电流

—集成约15K对地下拉电阻

— 3V驱动信号平均200uA输入电流

内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)

抗静电等级：3KV (HBM)

应用范围

2-6节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动

2-6节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱

动

1-2节锂电池供电的马达驱动

 该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作

电压范围覆盖2V到9.6V。27℃，VDD=6.5V，两个通道同时工作的条件下，2通道持续输出电流达到0.8A，峰值输出电流达到1.5A；1通道持续输出电流达到1.2A，峰值输出电流达到2A。该电路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才

允许重新对功率管进行控制。