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钽质电容器-固体SMD 10uF 25volts 10% C case Molded

制造商:Vishay产品种类:钽质电容器-固体SMDRoHS: 详细信息 系列:TH3电容:10 uF电压额定值 DC:25 VDC容差:10 %ESR:1.1 Ohms外壳代码 - in:2412外壳代码 - mm:6032高度:2.8 mm制造商库存号:C Case工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 C资格:AEC-Q200封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel长度:6 mm 产品:Tantalum Solid High Temperature 端接类型:SMD/SMT 类型:Molded - Automotive Grade 宽度:3.2 mm 商标:Vishay / Sprague 漏泄电流:2.5 uA 损耗因数 DF:6 产品类型:Tantalum Capacitors 纹波电流:0.32 A 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 商标名:TANTAMOUNT 单位重量:150 mg

据韩国媒体报道，NVIDIA近日公开确认，代号安培“Ampere”的下一代GPU芯片将由韩国三星代工，采用其的7nm EUV极紫外工艺。

NVIDIA GPU长年以来一直都是台积电代工，此番更换代工厂迅速引发关注，也引出了一个新的问题：NVIDIA是要彻底抛弃台积电而投入三星的怀抱吗？

另外，在发布的RTX 20 Super系列显卡上，部分GPU芯片更是被发现印上了Korea字样，而的解释是在韩国也有封装。

NVIDIA执行副总裁Debora Shoquist在的一份声明中澄清说：“有关报道是不正确的。NVIDIA下一代GPU会继续在台积电制造。NVIDIA已经同时使用台积电、三星代工，下一代GPU产品也计划继续同时使用两家工厂。”

NVIDIA这样做的原因并不难猜测。台积电工艺虽然先进，并且一直与NVIDIA合作良好，但是台积电、苹果、华为等众多大客户都要分享台积电的生产线，AMD处理器和显卡也已经完全交给台积电，压力可想而知，NVIDIA肯定不想把鸡蛋继续放在一个篮子里，避免可能的成本、良率、产能问题。

另外，三星的工艺虽然相比台积电略逊一筹，但也是水准，7nm EUV即将量产，5nm也已经搞定，承接一部分NVIDIA GPU订单不成问题。

只不过两家的工艺虽然名义上相同，但肯定会有这样那样的差异，NVIDIA虽然肯定会进行更广泛的调试以确保两家产的GPU尽可能一致，但也不可能保证百分之百一致，比如电压、频率、超频等等。

想当初，苹果iPhone 6S里的A9处理器有台积电16nm、三星14nm两个版本，结果就存在一些差异，被调侃为要“抽奖。”

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