ISSI的IS61LV25616AL是一个256K*16位字长的高速率静态随机存取存储器。IS61LV25616AL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
当/CE处于高电平（未选中）时，IS61LV25616AL进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
使用IS61LV25616AL的低触发片选引脚（/CE）和输出使能引脚（/OE），可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位 （/LB）存取。
IS61LV25616AL的封装类型有：JEDEC标准44脚400-mil SOJ，44脚 TSOP（类型2），44脚LQFP和48脚小型BGA（8mm×10mm）。
IS61LV25616AL 参数
IS61LV25616AL基本参数
容量 4M (256K*16)
速率 10ns,12ns
电压 3.3V
IS61LV25616AL封装与引脚
SOJ 44PIN
MBGA 48PIN
LQFP 44PIN
TSOP2 44PIN
IS61LV25616AL接口类型
串行  
并行 √


IS61LV25616AL 特性


IS61LV25616AL 主要特性如下：
高速率
存取时间：10ns,12ns
三态输出
全静态操作：不需时钟或刷新
接口电平兼容TTL标准
独立3.3V供电
高字节数据和低字节数据可分别控制


低功耗操作
CMOS低功耗操作
低待机功耗
— 低于5 mA（典型值）的CMOS待机模式


工业标准
可选无铅环保
可选工业级温度

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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