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优势和特点低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（值）低TCVOS： 0.5 μV/°C（值）高hFE： 500（值）出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz）高击穿电压： 45 V（值）

产品分类线性产品匹配晶体管产品详情MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40μV、温度漂移0.15μV/°C及hFE匹配为0.7%。

该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。

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