IRFP150N概述

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。

在TO- 247封装的commercial-工业应用更高的功率电平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似但优于早前TO- 218封装因为它孤立的安装孔。

IRFP150N产品技术参数

通道类型 N

连续漏极电流 42 A

漏源电压 100 V

漏源电阻值 0.036 Ω

栅阈值电压 4V

栅阈值电压 2V

栅源电压 ±20 V

封装类型 TO-247AC

安装类型 通孔

引脚数目 3

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

功率耗散 160 W

配置 单

典型关断延迟时间 45 ns

典型接通延迟时间 11 ns

每片芯片元件数目 1

宽度 5.3mm

高度 20.3mm

IRFP150N工作温度 +175 °C

典型输入电容值@Vds 1900 pF@ 25 V

典型栅极电荷@Vgs 110 nC@ 10 V

工作温度 -55 °C

长度 15.9mm

尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

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