STW3N150产品特点

100％的雪崩测试

固有电容和Qg化

高速开关

完全隔离的TO- 3PF塑料包装

爬电距离路径为5.4毫米（典型值）的TO-3PF

STW3N150应用

切换应用程序 STW3N150一般信息

数据列表STx3N150;标准包装30包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerMESH™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.5A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）29.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）939pF @ 25VVgs（值）±30VFET 功能-功率耗散（值）140W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 欧姆 @ 1.3A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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