数据列表FDMS86200;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.6A（Ta），35A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）46nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2715pF @ 75VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）2.5W（Ta），104W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）18 毫欧 @ 9.6A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装Power56封装/外壳8-PowerTDFNFDMS86200概述

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的 Power Trench®工艺生产，该工艺专为限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

FDMS86200特性

栅极屏蔽 MOSFET 技术

VGS = 10V，ID = 9.6A时，rDS(on) = 18mΩ

VGS = 6V，ID = 8.8A时，rDS(on) = 21mΩ

先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率

MSL1 耐用封装设计

100%经过UIL测试

符合 RoHS 标准

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

手机：16670529611
13302942150

联系人：王小姐/雷小姐

QQ：

邮箱：hurenbandaoti@chinaxilinx.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A