IR
IRLB3813
TO220
65600
请来电
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
IRLB3813产品应用
优化UPS /逆变器应用
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
电动工具
IRLB3813好处
非常低RDS ( ON)在4.5V VGS
超低栅极阻抗
充分界定雪崩电压和电流
LEAD -FREE
IRLB3813产品原理图
IRLB3813产品详细信息
N通道功率 MOSFET,30V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供系统效率。
MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
IRLB3813产品一般信息
数据列表IRLB3813PbF;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)260A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.35V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)86nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)8420pF @ 15VVgs(值)±20VFET 功能-功率耗散(值)230W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)1.95 毫欧 @ 60A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
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