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IRF100B201产品详细信息

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF100B201原理图

IRF100B201一般信息

数据列表IRF100(B,S)201;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®，StrongIRFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）192A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）255nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）9500pF @ 50VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）441W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）4.2 毫欧 @ 115A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

手机：16670529611
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