IR
IRF100B201
TO220
65600
请来电
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
微信:
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
IRF100B201应用程序
刷电机驱动应用程序
无刷直流电机驱动应用程序
电池供电的电路
半桥和全桥拓扑
同步整流的应用程序
谐振模式的电力供应
和ing和冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
IRF100B201产品详细信息
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
IRF100B201原理图
IRF100B201一般信息
数据列表IRF100(B,S)201;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®,StrongIRFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)192A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)255nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)9500pF @ 50VVgs(值)±20VFET 功能-功率耗散(值)441W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)4.2 毫欧 @ 115A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
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