FGH20N60SFD

产品描述

飞兆半导体的场截止 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为车用充电器、逆变器和其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了性能。

FGH20N60SFD

产品特性

高电流能力

低饱和电压： VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 A

高输入阻抗

快速开关

符合RoHS标准

FGH20N60SFD

产品原理图

FGH20N60SFD

产品一般信息数据列表FGH20N60SFD;标准包装30包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - UGBT，MOSFET - 单系列-

规格IGBT 类型场截止电压 - 集射极击穿（值）600V电流 - 集电极（Ic）（值）40A脉冲电流 - 集电极 (Icm)60A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.8V @ 15V，20A功率 - 值165W开关能量370μJ（开），160μJ（关）输入类型标准25°C 时 Td（开/关）值13ns/90ns测试条件400V，20A，10 欧姆，15V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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0755-82577852

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