ST
STB155N3LH6
TO263
65600
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企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
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联系人:王小姐/雷小姐
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
STB155N3LH6 产品技术参数:通道类型N连续漏极电流80 A漏源电压30 V漏源电阻值4 mΩ栅源电压±20 V封装类型TO-263安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET功率耗散110 W典型关断延迟时间100 ns每片芯片元件数目1宽度10.4mm典型输入电容值@Vds3800 pF V @ 25典型栅极电荷@Vgs80 nC V @ 10典型接通延迟时间15 ns尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm长度10.75mm工作温度-55 °C高度4.6mm工作温度+175 °C
STB155N3LH6 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-263封装
大量STB155N3LH6现货
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