FDS86242产品描述这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。FDS86242产品特性rDS(on) = 67 mO （VGS = 10 V, ID = 4.1 A）

rDS(on) = 98mO （VGS = 6 V, ID = 3.3 A）

高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)

在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力

100%经过UIL测试

符合RoHS标准FDS86242产品应用 应用DC / DC转换器和离线式UPS分布式电源架构和VRM的主开关的24V和48V系统高压同步整流器

数据列表FDS86242;

标准包装  2,500包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®其它名称FDS86242TR

规格FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）67 毫欧 @ 4.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）760pF @ 75V功率 - 值2.5W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

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