HGT1S3N60A4DS9A描述：

该HGT1S3N60A4DS9A和HGTP3N60A4D是MOS结合的门控高压开关设备MOSFET和双极型晶体管的特性。

这些设备有一个MOSFET和低的高输入阻抗导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。

备受较低的通态压降变化只是适度的25oC和150oC.使用的IGBT是发展型TA49327 。

在反并联使用的二极管是开发类型TA49369 。

这IGBT适用于多种高压开关在高频率下操作的应用，其中低导通损耗是必不可少的。

该装置已高频开关模式电源优化耗材。以前发育类型TA49329 。、

HGT1S3N60A4DS9A特点：

•在390V ， 3A >100kHz操作

•在390V 200kHz的操作， 2.5A• 600V开关SOA能力•

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在TJ= 125oC

•低传导损耗

•温度补偿SABER ™模型

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