DDR终端器
D D R zhōng 终 duān 端 qì 器
DESCRIPTION
描述
miáo 描 shù 述
The UTC
UR5596 is a linear bus termination regulator and
UTC ur5596是线性总线终端器
U T C u r 5 5 9 6 shì 是 xiàn 线 xìng 性 zǒng 总 xiàn 线 zhōng 终 duān 端 qì 器
designed
to meet JEDEC SSTL-2(Stub-Series Terminated Logic)
设计符合JEDEC SSTL公司-
2（存根系列终止逻辑）
shè 设 jì 计 fú 符 hé 合 J E D E C S S T L gōng 公 sī 司 - 2 （ cún 存 gēn 根 xì 系 liè 列 zhōng 终 zhǐ 止 luó 逻 jí 辑 ）
specifications for termination of
DDR-SDRAM. It also can be
终止DDR-SDRAM规格。它也可以
zhōng 终 zhǐ 止 D D R - S D R A M guī 规 gé 格 。 tā 它 yě 也 kě 可 yǐ 以
used in
SSTL-3 or HSTL (High-Speed Transceiver Logic)
用于sstl-3或HSTL（高速收发器逻辑）
yòng 用 yú 于 s s t l - 3 huò 或 H S T L （ gāo 高 sù 速 shōu 收 fā 发 qì 器 luó 逻 jí 辑 ）
scheme.
The device contains a high-speed OP AMP to provide
方案。该设备包含一个高速运算放大器提供
fāng 方 àn 案 。 gāi 该 shè 设 bèi 备 bāo 包 hán 含 yī 一 gè 个 gāo 高 sù 速 yùn 运 suàn 算 fàng 放 dà 大 qì 器 tí 提 gōng 供
excellent
response to the load transients, and can deliver 1.5A
完美的负载瞬态响应，并可提供1.5A
wán 完 měi 美 de 的 fù 负 zài 载 shùn 瞬 tài 态 xiǎng 响 yìng 应 ， bìng 并 kě 可 tí 提 gōng 供 1 . 5 A
continuous current and transient peaks up
to 3A in the application
连续电流和瞬态峰值为3A中的应用
lián 连 xù 续 diàn 电 liú 流 hé 和 shùn 瞬 tài 态 fēng 峰 zhí 值 wéi 为 3 A zhōng 中 de 的 yìng 应 yòng 用
as
required for DDR-SDRAM termination.
为DDR-SDRAM终止需要。
wèi 为 D D R - S D R A M zhōng 终 zhǐ 止 xū 需 yào 要 。
The UTC
UR5596 also incorporates a VSENSE pin to provide
UTC ur5596还采用了VSENSE引脚提供
U T C u r 5 5 9 6 hái 还 cǎi 采 yòng 用 le 了 V S E N S E yǐn 引 jiǎo 脚 tí 提 gōng 供
superior
load regulation and a VREF output as a reference for the
优越的负载调节和VREF输出作为参考
yōu 优 yuè 越 de 的 fù 负 zài 载 tiáo 调 jié 节 hé 和 V R E F shū 输 chū 出 zuò 作 wéi 为 cān 参 kǎo 考
chipset
and DIMMs. Besides, an active low shutdown (SHDN) pin
芯片组和内存。此外，一个低电平关机（SHDN）销
xīn 芯 piàn 片 zǔ 组 hé 和 nèi 内 cún 存 。 cǐ 此 wài 外 ， yī 一 gè 个 dī 低 diàn 电 píng 平 guān 关 jī 机 （ S H D N ） xiāo 销
provides
Suspend To RAM (STR) functionality. When SHDN is
提供挂起到内存（STR）的功能。基本上是当
tí 提 gōng 供 guà 挂 qǐ 起 dào 到 nèi 内 cún 存 （ S T R ） de 的 gōng 功 néng 能 。 jī 基 běn 本 shang 上 shì 是 dāng 当
pulled
low the VTT output will tri-state providing a high impedance
拉低的VTT输出三态提供一个高阻抗
lā 拉 dī 低 de 的 V T T shū 输 chū 出 sān 三 tài 态 tí 提 gōng 供 yī 一 gè 个 gāo 高 zǔ 阻 kàng 抗
output,
but, VREF will remain active. A power savings advantage
输出，但是，VREF将保持活跃。积蓄力量优势
shū 输 chū 出 ， dàn 但 shì 是 ， V R E F jiāng 将 bǎo 保 chí 持 huó 活 yuè 跃 。 jī 积 xù 蓄 lì 力 liàng 量 yōu 优 shì 势
can be
obtained in this mode through lower quiescent current.
可以通过较低的静态电流在这种模式下获得。
kě 可 yǐ 以 tōng 通 guò 过 jiào 较 dī 低 de 的 jìng 静 tài 态 diàn 电 liú 流 zài 在 zhè 这 zhǒng 种 mó 模 shì 式 xià 下 huò 获 dé 得 。
Regarding
the output, VTT is capable of sinking and sourcing
对于输出，VTT能够下沉和采购
duì 对 yú 于 shū 输 chū 出 ， V T T néng 能 gòu 够 xià 下 chén 沉 hé 和 cǎi 采 gòu 购
current
while regulating the output voltage equal to VDDQ/2. The
目前，调节输出电压等于VDDQ / 2。这个
mù 目 qián 前 ， tiáo 调 jié 节 shū 输 chū 出 diàn 电 yā 压 děng 等 yú 于 V D D Q / 2 。 zhè 这 ge 个
output
stage has been designed to maintain excellent load
输出级的设计，以保持良好的负载
shū 输 chū 出 jí 级 de 的 shè 设 jì 计 ， yǐ 以 bǎo 保 chí 持 liáng 良 hǎo 好 de 的 fù 负 zài 载
regulation while preventing shoot through.
The UTC UR5596 also
调控，同时防止拍摄。UTC ur5596也
tiáo 调 kòng 控 ， tóng 同 shí 时 fáng 防 zhǐ 止 pāi 拍 shè 摄 。 U T C u r 5 5 9 6 yě 也
incorporates two distinct power rails that
separates the analog
采用了2个不同的电源轨分离的模拟
cǎi 采 yòng 用 le 了 2 gè 个 bù 不 tóng 同 de 的 diàn 电 yuán 源 guǐ 轨 fēn 分 lí 离 de 的 mó 模 nǐ 拟
circuitry
from the power output stage. This allows a split rail
从电源输出级电路。这让一个分裂的铁路
cóng 从 diàn 电 yuán 源 shū 输 chū 出 jí 级 diàn 电 lù 路 。 zhè 这 ràng 让 yī 一 gè 个 fēn 分 liè 裂 de 的 tiě 铁 lù 路
approach
to be utilized to decrease internal power dissipation and
减少内部功耗的方法
jiǎn 减 shǎo 少 nèi 内 bù 部 gōng 功 hào 耗 de 的 fāng 方 fǎ 法
permits
UTC UR5596 to provide a termination solution for DDRII
ur5596许可时提供一个DDRII终止解
u r 5 5 9 6 xǔ 许 kě 可 shí 时 tí 提 gōng 供 yī 一 gè 个 D D R I I zhōng 终 zhǐ 止 jiě 解
SDRAM.
SDRAM。
S D R A M 。
FEATURES
特征
tè 特 zhēng 征
* Source
and sink current
*源和汇电流
* yuán 源 hé 和 huì 汇 diàn 电 liú 流
* Low
output voltage offset
*低输出电压偏移
* dī 低 shū 输 chū 出 diàn 电 yā 压 piān 偏 yí 移
* No
external resistors required
*无需外部电阻器
* wú 无 xū 需 wài 外 bù 部 diàn 电 zǔ 阻 qì 器
* Linear
topology
*线性拓扑
* xiàn 线 xìng 性 tuò 拓 pū 扑
* Suspend
To Ram (STR) functionality
*挂起到内存（STR）的功能
* guà 挂 qǐ 起 dào 到 nèi 内 cún 存 （ S T R ） de 的 gōng 功 néng 能
* Low
external component count
*低外部元件计数
* dī 低 wài 外 bù 部 yuán 元 jiàn 件 jì 计 shù 数
* Thermal
shutdown protection
*热关断保护
我们的价值观：“诚信、、用心、高效”。
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