MOSFET威世SQJ910AEP-T1-GE3进口原装假一罚十

Qg-栅极电荷：
39 nC, 39 nC
Id-连续漏极电流：
30 A, 30 A
工作温度：
- 55 C
工作温度：
+ 175 C

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集成电路(IC)(1228)
∟ 逻辑IC(14)∟ 射频IC(3)∟ 时钟IC(10)∟ 其他IC(1200)∟ 处理器MPU(1)
电源IC(140)
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半导体存储器(12)
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商品信息

Vishay威世SQJ910AEP-T1-GE3进口原装假一罚十，价格合理!

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8L-4
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 30 V
Id-连续漏极电流: 30 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.0058 Ohms, 0.0058 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 20 V
Qg-栅极电荷: 39 nC, 39 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
配置: Dual
资格: AEC-Q101
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Vishay Semiconductors
下降时间: 7 ns, 7 ns
正向跨导 - 值: 72 S, 72 S
Pd-功率耗散: 48 W
上升时间: 3 ns, 3 ns
系列: SQ
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns, 27 ns
典型接通延迟时间: 11 ns, 11 ns
单位重量: 506.600 mg

联系方式

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