36 V
12 A
- 2.9 V
117 W
企业名:深圳市宇集芯电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-28708773
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手机:13430772257
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联系人:肖先生 (可开13%增票)/程小姐【只做原装正品】
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邮箱:xiaozheng1608@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中座10楼10A22室
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Qorvo的t1g4012036-fs是120 W(p3db)宽带输入预匹配的离散GaN-on-SiC HEMT由DC至3.5 GHz和36-50v供电轨。该设备是一个行业标准的空气腔封装,非常适合军事和民用雷达,陆地移动和军用无线电通信,航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲和线性操作。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
特别应用:
民用雷达
干扰器
军用雷达
和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 18.4 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 36 V
Id-连续漏极电流: 12 A
漏极/栅极电压: - 2.9 V
Pd-功率耗散: 117 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3.3 GHz
产品: GaN RF Power Transistors
系列: T1G
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1096026
企业名:深圳市宇集芯电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
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