CJ2307 场效应管(MOSFET)芯片

型号/规格：
CJ2307
品牌/商标：
CJ（江苏长电/长晶）
封装：
SOT-23
批号：
21+
数量：
1000

发布询价信息

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商品信息

CJ2307 P沟道30-V（D-S）MOSFET

特征

沟槽式功率MOSFET

应用

便携式设备的负载开关

大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）

参数符号值单位

漏源极电压VDS-30

栅源电压VGS±20

v

连续漏极电流a、b ID-2.7

连续源漏电流A，b为-0.91

A.

功耗A，b PD 1.1 W

结对环境的热阻（t≤5s）RθJA 114℃/W

工作结温TJ 150

储存温度Tstg-55~+150℃

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS VGS = 0V, ID =-250μA -30
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) VDS =VGS, ID =-250μA -1 -3
V
Gate-Source Leakage IGSS VDS =0V, VGS =±20V ±100 nA
VDS =-30V, VGS =0V -1
Zero Gate Voltage Drain Current IDSS
VDS =-30V, VGS =0V, TJ=55℃ -10
μA
VGS =-4.5V, ID =-2.5A 0.110 0.138
Drain-Source On-State Resistancec
RDS(on)
VGS =-10V, ID =-3.5A 0.073 0.088
Ω
Forward Transconductancec
gfs VDS =-10V, ID =-3.5A 7 S
Dynamicd
Input Capacitance Ciss 340
Output Capacitance Coss 67
Reverse Transfer Capacitance Crss
VDS =-15V,VGS =0V,f =1MHz
51
pF
Total Gate Charge Qg 4.1 6.2
Gate-Source Charge Qgs 1.3
Gate-Drain Charge Qgd
VDS =-15V,VGS =-4.5V,
ID =-2.5A
1.8
nC
Gate Resistance Rg f =1MHz 10 Ω
Turn-On Delay Time td(on) 40 60
Rise Time tr 40 60
Turn-Off Delay Time td(off) 20 40
Fall Time tf
VDD=-15V,
RL=15Ω, ID =-1A,
VGEN=-4.5V,Rg=1Ω
17 30
ns
Drain-source Body diode characteristics
Body Diode Voltage VSD IS=-0.75A, ,VGS =0 -0.8 -1.2 V
Notes:
a. t=5s.
b. Surface mounted on 1” ×1” FR4 board.
c. Pulse Test : Pulse Width < 300μs, Duty Cycle ≤2%.
d. Guaranteed by design, not subject to production testing

参数符号测试条件小典型大单位

静止的

漏源击穿电压V（BR）DSS VGS=0V，ID=-250μA-30

栅源阈值电压VGS（th）VDS=VGS，ID=-250μA-1-3

v

栅源泄漏IGSS VDS=0V，VGS=±20V±100NA

VDS=-30V，VGS=0V-1

零栅极电压漏极电流IDSS

VDS=-30V，VGS=0V，TJ=55℃-10

μA

VGS=-4.5V，ID=-2.5A 0.110 0.138

漏源接通状态电阻C