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商品信息

●1999年，西门子半导体集团独立上市，形成英飞凌科技公司。

●2000年，英飞凌推出沟槽栅+场终止技术，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是当今两种先进的IGBT芯片生产技术的杰出组合。

●2001年，英飞凌CoolMOSTM和IGBT芯片技术荣获德国贸易与工业革新奖，被誉为德国2001年技术革新。

●2002年，英飞凌推出倍受关注的SiC材料肖特基二极管（ThinQ！）。

●2004年，英飞凌推出无磁芯变压器驱动IC，将变压器集成在半导体芯片上，即CLT技术IGBT驱动IC。

●2005年，英飞凌推出600V，六单元SOI技术驱动IC。

●2006年，EUPEC全面融入英飞凌公司，EUPEC成为英飞凌大功率半导体器件部。

●2007年，英飞凌推出IGBT4芯片，Tjmax=175℃。封装有IGBT4芯片的PrimePACK进入市场，英飞凌PrimePACK IGBT模块在中大功率应用中具有较强的竞争力。

●2008年，英飞凌和西门子电力集团合资成立了英飞凌双极型公司，生产大功率晶闸管、电力二极管、LTT等双极型电力半导体器件。产品采用英飞凌商标。

英飞凌IGBT很重视全球市场，并在全球设立营销网络网点，在中国市场，富凌联合（Fuling Unite）是英飞凌IGBT在中国指定代理，也是英飞凌IGBT的很重要的合作伙伴，双方愿意共同努力，推动英飞凌IGBT在中国市发展。

富凌联合荣获2009年英飞凌IGBT中国大陆客户评审奖；

富凌联合荣获2010年英飞凌IGBT中国大陆业务快增长率奖；

富凌联合荣获2011年英飞凌IGBT中国大陆产品推广贡献奖。

英飞凌工业与汽车应用中的半导体器件。英飞凌功率半导体具有产品范围十分广泛，生产经营历史长，竞争力强的优势，其市场份额位居全球首位。

联系方式

企业名：北京富凌联合电子技术有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 010-62866277

手机：13581953252

联系人：谢先生

QQ：

邮箱：Michael.Xie@IGBT-leader.com

地址：北京北京市海淀区上地三街中黎科技园

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