TD3120R光耦的特点：

  在使用性能上能替代光宝LTV-3120,兆龙CT3120/350,夏普PC925LONSZOF,东芝LP350H/250H,冠西KTLP250/350,安华高HCPL3120/J312/3180/T250，ACPL-T350/312T，QCPL-341H,仙童FOD3120/MOCD3120,瑞萨PS9552/9505，威世VO3120，封装类型为SMD8和DIP8。

TD3120R天电光耦的原理：

  TD3120R栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。
栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。

TD3120R应用电路图

TD3120R光耦的应用和使用特点：

  广泛的运用于工业逆变器，不间断电源，感应加热，IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动，大功率器件及功率模块驱动。

输出电流较小，对较大功率IGBT实施驱动时，需要外加功率放大电路。
由于流过IGBT的电流是通过其它电路检测来完成的，而且仅仅检测流过IGBT的电流，
这就有可能对于IGBT的使用效率产生一定的影响，比如IGBT在安全工作区时，有时出
现的提前保护等。
要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快，一般由过电流发生到IGBT可靠
关断应在10μs以内完成。
当过电流发生时，TLP250得到控制器发出的关断信号，对IGBT的栅极施加一负电压，使
吏IGBT硬关断。这种主电路的dv/dt比正常开关状态下大了许多，造成了施加于IGBT两端
的电压升高很多，有时就可能造成IGBT的击穿。

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