Cypress Semiconductor串行F-RAM（铁氧体RAM）存储器集ROM的非易失性数据存储能力与RAM的快速性于一体。串行F-RAM有多种接口与密度选项，包括SPI和I2C接口、行业标准封装以及4KB至4MB的存储密度。

Cypress F-RAM支持100万亿次读写操作，远高于EEPROM的100万次，因此在其整个寿命周期内都无需考虑损耗均衡。

该产品采用铁氧体材料制成，具有很强的抗辐射或磁场能力，进一步降低了软误差率，成为了MRAM的替代方案。

这些F-RAM产品通常用于任务关键型应用，包括智能电表、汽车电子、工业控制和自动化设备、多功能打印机以及便携式医疗器械。

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