简述：
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、
小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如电视
调谐器、卫星电视接收器、CATV 视频放大器、模拟数字无绳、雷达感应开关、
光纤射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
集电极-基极击穿电压：BVCEO=15V，集电极电流：IC=70mA,耗散功率：
PC=300mW，特征频率：fT=9GHz;
封装形式：SOT323,本体印字(Marking)： N2 或者 N2t。
2.极限参数（Tamb=25℃）：
参数名称 符号 额定值 单位
集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V
集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V
发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V
集电极电流 IC 70 mA
耗散功率 PT 300 mW
结温 TJ 150 ℃
储存温度 Tstg -65～+150 ℃
3.电参数及规格（Tamb=25℃）：
参数名称 符号 测试条件 值 典型值 值 单位
集电极截止电流 ICBO VCB=6V,IE=0 - - 0.05 μA
直流电流放大系数 hFE VCE=6V,IC=20mA 60 120 250
特征频率 fT VCE=6V,IC=20mA - 9 - GHz
反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz - 0.4 - pF
集电极电容 Cc IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz - 0.5 - pF
发射极电容 Ce IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz - 1.0 - pF
插入功率增益 ∣S21∣2 VCE=6V,IC=20mA, f=900MHz 13 14 - dB
噪声系数 NF
VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz - 1.1 1.6 dB
VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz - 1.6 2.1 dB
VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz - 1.9 - dB
单边功率增益 GUM VCE=6V,IC=20mA, f=900MHz - 15 - dB
VCE=6V,IC=20mA, f=2GHz - 9 - dB
输出电压 VO 270 mV
输出功率在 1dB 的增
益压缩 PL1 V f=900MHz CE=6V,IC=20mA,RL=50 - 17 - dBm
二阶互调失真 d2 VCE=6V,IC=20mA,
VO=75mV,f(p+q) = 900MHz - -50 - dB

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