制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:Chassis Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:500 VId-

连续漏极电流:44 ARds On-

漏源导通电阻:120 mOhmsVgs - 栅极-

源极电压:20 V

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single Dual SourcePd-

功率耗散:520 W

通道模式:Enhancement

商标名:HyperFET

封装:Tube

高度:9.6 mm 

长度:38.23 mm 

系列:IXFN44N50 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:25.42 mm 

商标:IXYS 正向跨导 - 

值:42 S 

下降时间:30 ns 

上升时间:60 ns 

工厂包装数量:10 

典型关闭延迟时间:100 ns 

典型接通延迟时间:30 ns 

单位重量:30 g

            

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