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提供样品MT45W4MW16PCGA-70 IT集成电路IC

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产品分类
商品信息

制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR
描述 IC PSRAM 64MBIT 70NS 48VFBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
详细描述 PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 48-VFBGA(6x8)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 PSRAM
技术 PSRAM(伪 SRAM)
存储容量 64Mb (4M x 16)
写周期时间 - 字,页 70ns
访问时间 70ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度 -30°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 48-VFBGA
供应商器件封装 48-VFBGA(6x8)
基本零件编号 MT45W4MW16
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对于人类来说,将会有越来越多的闲暇时间,这个闲暇有两个原因:首先,长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术,对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术,还有一段距离,而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术,驱动芯片的密度提升、成本再下降。第一个原因是不得不闲暇

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