制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
JS28F00AM29EWH0
描述 IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8，64M x 16） 并联 110ns 56-TSOP（14x20）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 Digi-Key 停止供應
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）
写周期时间 - 字，页 110ns
访问时间 110ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 56-TSOP（14x20）
基本零件编号 28F00AM29EW
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工作都被机器所取代了，但是被机器取代不一定就是一个悲惨的事。首先，长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术，对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术，还有一段距离，而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术，驱动芯片的密度提升、成本再下降。就像我刚才说的，因为人可以用越来越多的时间去玩，去游戏，所以人将会有越来越多的闲暇，将会出现超大规模的长时间的沉浸体验。就是人将不可避免地与机器融合

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