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安富利到货通知MT49H32M9BM-25:B集成电路IC

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产品分类
商品信息

制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT49H32M9BM-25:B TR
描述 IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
详细描述 DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 288Mb (32M x 9)
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 20ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 144-TFBGA
供应商器件封装 144-μBGA(18.5x11)
基本零件编号 MT49H32M9
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锂电池作为新能源汽车主流动力源,成本占比达到新能源汽车的40%,国内外尤其重视锂电池技术的发展,从国内外电芯产品及系统模组的能量密度比较来看(数据取行业平均值),我国的电芯技术与国外主流企业仍存在明显差距。而在电芯成组之后系统能量密度差距有所减少,原因是国内电芯产品主要为方形铝盒或软包电芯,单体容量较

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