零件编号 SI7726DN-T1-GE3TR-ND
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7726DN-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 46 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 SkyFET®，TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 43nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1765pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
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