零件编号 IPG20N06S2L65AATMA1TR-ND
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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPG20N06S2L65AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10






类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 65 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 14μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 410pF @ 25V
功率 - 值 43W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-10


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