零件编号 BSO119N03SINTR-ND
现有数量 0 
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSO119N03S
描述 MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8




类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 13nC @ 5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1730pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 11.9 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-DSO-8
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装 16-SOIC


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