零件编号 NDB6020PTR-ND

现有数量 0

检查提前期

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NDB6020P

描述 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 35nC @ 5V

Vgs（值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1590pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 60W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 50 毫欧 @ 12A，4.5V

工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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