FF400R33KF2C数据表

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: N  

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极电压 VCEO: 3300 V

集电极—射极饱和电压: 3.4 V

在25 C的连续集电极电流: 660 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 4.8 kW

封装 / 箱体: IHM

工作温度: - 40 C

工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 2  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614

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