NBB-500-T1射频放大器 DC-4GHz Gain 19dB P1dB 12.3dBm@2GHz

技术: GaAs InGaP

工作频率: DC to 4 GHz

P1dB - 压缩点: 14 dBm

增益: 18.5 dB

工作电源电压: 3.9 V

NF—噪声系数: 3.2 dB

测试频率: 2 GHz to 4 GHz

OIP3 - 三阶截点: 26.5 dBm

工作电源电流: 35 mA

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

实际上，射频系统非常复杂，为了让RF器件更好地工作在一个系统中，Qorvo在先进封装技术上投入很大，同时也在提高芯片的集成度以帮助客户在一块芯片上集成更多器件。作为全球技术领先的IDM大厂，Qorvo确实有实力为客户提供完整的解决方案。

目前，Qorvo的产品种类已经全面覆盖使用多种工艺（GaN，GaAs等）实现的功放，收发器，LNA，射频开关，以及BAW和SAW滤波器。每一个产品种类下都有丰富的产品型号，并在射频链路中占据重要地位。除了有先进的技术研发外，Qorvo还拥有独立的封装厂和制造厂，有利于控制成本和稳定质量，加快高集成度产品的研发进度。迎来5G时代的到来，Qorvo已准备就绪！

深圳市沃博电子专注射频全系列器件 欢迎前来咨询 ，5G时代期待与您的合作。

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