SBR2060CTF介绍:

描述 DIODE ARRAY SBR 60V 10A ITO220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

类别 分立半导体产品

二极管 - 整流器 - 阵列

制造商 Diodes Incorporated

系列 SBR®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

二极管配置 1 对共阴极

二极管类型 超级势垒

电压 - DC 反向（Vr）（值） 60V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 10A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf 700mV @ 10A

速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 500μA @ 60V

工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装 ITO-220AB

基本零件编号 SBR2060CT

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为&#160;TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业，为客户提供16%的增值税票，开拓终端工厂市场，

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地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。

企业名：艾睿（深圳）实业有限公司

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