T1600N 介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 10.42W（Tc） SOT-223-4

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.6A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 160 毫欧 @ 2.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 3.77nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 225pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（值） 10.42W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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