IXTK82N25实物图片：

IXTK82N25详细规格如下：

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 82 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 142 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 500 W

通道模式: Enhancement

商标名: PolarHT

封装: Tube

高度: 26.59 mm  

长度: 20.29 mm  

系列: IXTK82N25  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: PolarHT Power MOSFET  

宽度: 5.31 mm  

商标: IXYS  

正向跨导 - 值: 30 S  

下降时间: 22 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 78 ns  

典型接通延迟时间: 29 ns  

单位重量: 10 g

关键特性Features:

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low RDS(ON) and QG

Low Package Inductance

产品优势：

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

主要应用：

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

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产品说明：

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

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类型：贸易/代理/分销

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