制造商: Infineon

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 60 V

Id-连续漏极电流: - 9.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: - 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: SPD09P06  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 1.8 S  

下降时间: 89 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 168 ns  

工厂包装数量: 2500  

典型关闭延迟时间: 49 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

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