PMV30UN2R  PMV30UN2R  PMV30UN2R

制造商:Nexperia产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-236AB-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.4 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:4.5 VVgs th-栅源极阈值电压:400 mVQg-栅极电荷:6.2 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:1 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 商标:Nexperia 下降时间:10 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:26 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:35 ns 典型接通延迟时间:7 ns 单位重量:27 mg

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